電力電子系統(tǒng)研發(fā)制造商一般需要碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商提供可靠性測試報告的原始數(shù)據(jù)和器件封裝的FT數(shù)據(jù)。
SiC碳化硅MOSFET可靠性報告原始數(shù)據(jù)主要來自以下可靠性測試環(huán)節(jié)的測試前后的數(shù)據(jù)對比，通過對齊可靠性報告原始數(shù)據(jù)測試前后漂移量的對比，從而反映器件的可靠性控制標準及真實的可靠性裕量。SiC碳化硅MOSFET可靠性報告原始數(shù)據(jù)主要包括以下數(shù)據(jù):
SiC碳化硅MOSFET高溫反偏 High Temperature Reverse Bias HTRB Tj=175℃ VDS=100%BV
SiC碳化硅MOSFET高溫柵偏（正壓） High Temperature Gate Bias（+） HTGB（+） Tj=175℃ VGS=22V
SiC碳化硅MOSFET高溫柵偏（負壓） High Temperature Gate Bias（-） HTGB（-） Tj=175℃ VGS=-8V
SiC碳化硅MOSFET高壓高濕高溫反偏 High Voltage, High Humidity, High Temp. Reverse Bias HV-H3TRB Ta=85℃ RH=85% VDS=80%BV
SiC碳化硅MOSFET高壓蒸煮 Autoclave AC Ta=121℃ RH=100% 15psig
SiC碳化硅MOSFET溫度循環(huán) Temperature Cycling TC -55℃ to 150℃
SiC碳化硅MOSFET間歇工作壽命 Intermittent Operational Life IOL △Tj≥100℃ Ton=2min Toff=2min
FT數(shù)據(jù)來自碳化硅MOSFET功率器件FT測試(Final Test，也稱為FT)是對已制造完成的碳化硅MOSFET功率器件進行結(jié)構(gòu)及電氣功能確認，以保證碳化硅MOSFET功率器件符合系統(tǒng)的需求。
通過分析碳化硅MOSFET功率器件FT數(shù)據(jù)的關(guān)鍵數(shù)據(jù)（比如V(BR)DSS，VGS(th)，RDS(on)，
IDSS）的正態(tài)分布，可以定性碳化硅MOSFET功率器件材料及制程的穩(wěn)定性，這些數(shù)據(jù)的定性對電力電子系統(tǒng)設(shè)計及大批量制造的穩(wěn)定性也非常關(guān)鍵。
碳化硅（SiC）功率模塊在工業(yè)市場有許多應(yīng)用。這些模塊通常用于提高電能轉(zhuǎn)換和控制系統(tǒng)的效率，同時在高溫和高頻率環(huán)境下表現(xiàn)良好。以下是碳化硅功率模塊在工業(yè)市場中的一些主要應(yīng)用：
電機驅(qū)動和控制： 碳化硅功率模塊可用于工業(yè)電機驅(qū)動系統(tǒng)，提供高效率和高功率密度，降低能源損耗。
電源和逆變器： 在工業(yè)設(shè)備中，SiC功率模塊可用于設(shè)計高效率的電源和逆變器，適用于工業(yè)自動化、機床和其他高功率應(yīng)用。
可再生能源系統(tǒng)： 碳化硅功率模塊在太陽能逆變器和風力發(fā)電系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用，提高了能源轉(zhuǎn)換效率。
焊接設(shè)備： 在工業(yè)焊接系統(tǒng)中，SiC功率模塊可以提供更高的功率密度、更高的頻率響應(yīng)和更高的效率。
電力傳輸與分配： SiC功率模塊可用于電力輸配系統(tǒng)，提供高效的電力轉(zhuǎn)換和分配。
電氣化交通： 在高速列車和電動汽車中，碳化硅功率模塊可以提供更高的功率密度，減輕設(shè)備重量，提高系統(tǒng)效率。
工業(yè)加熱系統(tǒng)： 在高溫加熱系統(tǒng)中，SiC功率模塊可以提供更高的溫度穩(wěn)定性和更高的效率。
這些應(yīng)用表明碳化硅功率模塊在工業(yè)環(huán)境中能夠提供更高效、更可靠的解決方案，有助于提高系統(tǒng)性能并減少能源消耗。
BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET兩大主要特色：
1.出類拔萃的可靠性：相對競品較為充足的設(shè)計余量來確保大規(guī)模制造時的器件可靠性。
BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列擊穿電壓BV值實測在1700V左右，高于市面主流競品，擊穿電壓BV設(shè)計余量可以抵御碳化硅襯底外延材料及晶圓流片制程的擺動，能夠確保大批量制造時的器件可靠性，這是BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET最關(guān)鍵的品質(zhì). BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET雪崩耐量裕量相對較高，也增強了在電力電子系統(tǒng)應(yīng)用中的可靠性。
2.可圈可點的器件性能：同規(guī)格較小的Crss帶來出色的開關(guān)性能。
BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET反向傳輸電容Crss 在市面主流競品中是比較小的，帶來關(guān)斷損耗Eoff也是市面主流產(chǎn)品中非常出色的，優(yōu)于部分海外競品，特別適用于LLC應(yīng)用，典型應(yīng)用如充電樁電源模塊后級DC-DC應(yīng)用。